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塞貝克效應

 

  如圖所示,當兩個不同的導體a和b兩端相接,組成一個閉合線路,如兩個接頭A和B具有不同的溫度,則線路中便有電流,這種電流稱為溫差電流,這個環路便組成所謂溫差電偶,產生電流的電動勢稱為溫差電動勢,其數值一般只與兩個接頭的溫度有關。這個效應是于1821年由塞貝克發現的,故稱為塞貝克效應,溫差電動勢亦稱為塞貝克電動勢。

 

 

半導體的熱導率

 

  當晶體的某一部分溫度升高時,則熱能將由晶體的高溫部分傳導到低溫部分,使整個晶體的溫度趨于一致。以一維情況為例,在晶體中設想一個很小的面積ds,dT / dx沿x方向的溫度梯度,則在dt時間內通過面積ds的熱量Q與面積ds、溫度梯度dT / dx及時間dt成正比,即

  負號表示熱量由高溫流向低溫;k稱為晶體的熱導率,單位為:W/(m?K)。

 

 

霍爾效應

 

  把通有電流的半導體放在均勻磁場中,設電場沿X方向,電場強度為Ex;磁場方向和電場垂直,沿z方向,磁場感應強度為Bz,則在垂直于電場和磁場的+y或-y方向將產生一個橫向電場Ey,這個現象稱為霍爾效應。霍爾電場Ey與電流密度Jx和磁場感應強度Bz成正比,即

Ey=RHJxBz

  比例系數RH稱為霍爾系數,即

 

 

 

 

(來源:《半導體物理學》第七版   電子工業出版社)

 

 

 

磁場

 

  (國際電工委員會IEC的定義)電磁場的組成部分,采用磁場強度H和磁通密度B表示其特征。(我國國家標準定義)磁場是一種場,其特征可在場內運動著的帶電粒子所受的力來確定,這種力源于粒子的運動及其所帶電荷。

 

磁滯回線

 

  鐵磁體從正向至反向,再至正向反復磁化至技術飽和一周,所得到的B與H的閉合關系曲線稱為磁滯回線。

 

  剩磁Br、 UoMr或 4πMr :

  永磁體從磁化至技術飽和并去掉外磁場后,所保留的Mr、UoMr或 4πMr或Br,分別稱為剩余磁化強度,剩余內稟磁感應強度和剩余磁感應強度,它們統稱為剩磁。

 

  矯頑力:

  Hcb、 Hcj 使磁化至技術飽和的永磁體的B(磁感應強度)降低至零所需要的反向磁場強度稱為磁感矯頑力,同理,使內稟磁感強度UoM或Mr降低至零所需的反向磁場強度稱為內稟矯頑力。

 

  ******磁能積:

  (BH)max 退磁曲線上任何一點的B和H的乘積即Bm、 Hm和(BH)代表了磁鐵在氣隙空間所建立的磁能量密度,即氣隙單位體積的靜磁能量,由于這項能量等于磁鐵Bm與Hm的乘積,因此稱為磁能積,磁能積隨B而變化的關系曲線稱為磁能曲線,其中一點對應的Bd和Hd的乘積有******值,稱為******磁能積。

 

  彎曲點Hk:

  通常將內稟退磁曲線上的點Bi=0.9Br相對應的磁場稱為彎曲點磁場Hk,Hk越大意味著內稟退磁曲線的方形度越好。

 

  剩磁溫度系數(αBr):

  溫度在某范圍內變化時剩余磁感應強度可逆變化的百分數與溫度變化度數的比值,稱為剩余磁溫度系數。

 

  磁化強度矯頑力溫度系數(βHcj):

  溫度在某范圍內變化時,磁化強度矯頑力可逆變化的百分數與溫度變化度數的比值。

 

  居里溫度:

  Tc 自發磁化強度消失的溫度。

 

 

 均勻區均勻度的測量 

 

  測量均勻區的均勻度:使電源輸出為一定值并待其穩定,測量線圈中心磁場,將測場儀在均勻區內平穩移動,確保探頭無傾斜轉動,記錄磁場在均勻區內各點數值。若中心磁場值為H0,均勻區內另一點磁場值為H1,那么這一點的磁場偏差即為ΔH=H1-H0,則此點磁場的均勻度為ΔH/H0;

 

 

磁學量常用換算單位 

 

磁學量名稱

符號

CGS單位

SI單位

換算比

(SI制數值乘以此數即得CGS制數值)

磁極強度

m

 

韋(Wb)

108/4π

磁通

φ

麥克斯韋(Mx)

韋(Wb)

108

磁矩

Mm

磁?矩

安/米2(A/m2)

103

磁通密度或

磁感應強度

B

高斯(Gs)

韋/米2或特[斯拉]

(Wb/m2或T)

104

磁場強度

H

奧斯特(Oe)

安/米(A/m)

1/79.6

磁勢

磁通勢

φm

Vm

奧·厘米(Oe·cm)

安匝(A)

4π/10

磁化強度

M

高斯(Gs)

安/米(A/m)

10-3

相對磁化率

χ

 

 

相對導磁率

μ

 

 

1

退磁因子

N(CGS) D(SI)

 

 

真空導磁率

μ0

1

4π/107

107/4π

磁阻

Rm

(奧·厘米)/麥克斯韋

安匝/韋(A/Wb)

4π·10-9

磁晶各向異性常數

K1

erg/cm2

焦/米3(J/m3)

10

磁能積

(BH)m

高·奧

焦/米3(J/m3)

109/ 7.96

疇壁能密度

γ

erg/cm2

焦/米2(J/m2)

103

 

 

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